Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

Características Principales

• Voltaje colector-base máximo: 500 V
• Corriente colector máxima: 15 A
• Potencia disipación colector: 80 W
• Encapsulado TO-3PB
• Temperatura de unión: 150 °C
• Alta velocidad de conmutación
• Alta confiabilidad

Especificaciones Eléctricas

• VCBO: 500 V (VCEO: 400 V, VEBO: 7 V)
• IC: 15 A (máx.)
• IB: 5 A (máx.)
• PC: 80 W (TC=25°C)
• VCE(sat): 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
• VBE(sat): 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
• hFE: 10 (IC=6A, VCE=5V)

Tiempos de Conmutación

• Tiempo de encendido (ton): 0.5 μs
• Tiempo de almacenamiento (ts): 1.5 μs
• Tiempo de caída (tf): 0.15 μs

Temperatura

• Temperatura de unión: 150 °C
• Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 °C
• Resistencia térmica (Rth(j-c)): 1.56 °C/W

Aplicaciones

• Reguladores de conmutación
• Generadores ultrasónicos
• Inversores de alta frecuencia
• Amplificadores de potencia de uso general